2 月 20 日消息,据 Moneytoday,SK 海力士于 1 月中旬正式结束了 HBM3E 的开发工作,顺利完成了 Nvidia 历时半年的性能评估,并计划于 3 月开始大规模生产五代 HBM3E 高带宽内存产品,并在下个月向 Nvidia 供应首批产品。

半导体产品的开发分为九个阶段(Phases 1-9),目前该公司已完成所有阶段的开发,并进入最后阶段–增产(ramp-up),这也意味着从现在起生产的所有 HBM3E 都可以交付给 Nvidia。

消息称 SK 海力士 3 月开始大规模量产 HBM3E 内存,首批交付英伟达-编程知识网

除 SK 海力士外,其竞争对手三星电子和美光也向 Nvidia 提供过 HBM3E 样品,但它们要到 3 月份才会开始最终的质量认证测试,以确保产品能够达到出货质量要求,而 SK 海力士比预先安排的档期提前了至少两个月。

据介绍,这批 HBM3E 将用于英伟达下一代 AI 芯片“Blackwell”系列中的旗舰级产品 B100,而英伟达则计划于今年第二季度末或第三季度初推出该系列产品。注:Blackwell 即美国科学院院士戴维・布莱克维尔,他是美国科学院首位黑人院士、加州大学伯克利分校首位黑人终身教授,因病于 2010 年 7 月 8 日逝世,享年 91 岁。

目前,NVIDIA 已经占据 AI GPU 市场 90% 以上的份额;而在存储领域,SK 海力士已经占据全球 HBM 市场一半以上的份额,更是 100% 垄断了 128GB DDR5 这类大容量 DRAM 产品市场。

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